Silikon-Technologie

1) Eigenschaft Chemie zur Unterseite von geschehenen des System â "SiO₂ :

)       mit idrofluorico Säure kann das Silikon sein aufgelöstes Silikondioxid und intakt verlassen werden

B)       kann Silikondioxid benutzt werden, um einen Silikonkristall von bombardierten ionizzanti Atomen abzuschirmen

 

2) Prozeß, zum unten zu gleiten:

Die Produktion der integrierten Schaltung geschieht durch die folgenden Schritte:

)       zur Kreation des polisilicio

Dioxid des Silikons und des Carbons kommt scaldati zu 2000°C in einem Ofen, wird erreicht vom reinen Silikon bis 90%, es kommt dann umgewandelt im triclorosilano, das dann destilliert kommt, erhalten Silikon zum polisilicio besagten Festkörper in, wieviel von den kleinen Kristallen mit randomica Richtung festsetzte.

B)       Produktion eines einzelnen Kristalles, der Durchmesser von ungefähr 10cm hat

b1) Technisch von Czochralski

Das polisilicio kommt getragen zu einer Temperatur des Korrespondenten 1412°C zum Schmelzpunkt des Silikons, nachdem kommt ein Samen des Silikons mit der absichtlichen Richtung immesso ruotando im Schmelzverfahren, während der Tiegel innen die entgegengesetzte Richtung drehen, der Kristall kommt wenig zur Zeit, die vom Schmelzverfahren extrahiert wird, und er wird weg vom Herstellen eines Zylinders des reinen Halbleiters abgekühlt und orientiert richtig.

b2) Technisch von den Hin- und Herbewegung Zonen

Der polisilicio Zylinder kommt gebildet zum ruotare und mit einem Quell-Rf zum Urlaub geheizt von der Unterseite, in der es den Samen im Auftrag gibt dann, zum in Richtung zur Höhe oben zu gehen.

c)       Produktion der Oblate

Nachher, daß der einzelne Kristall hergestellt worden ist, kommt sie mannered mittels des Diamantverursachens der besagten Scheibeoblate

d)       Oxidation der Oblate

Das Silikon kommt oxidiert in der Weise, die abgeschirmtes laddove sein kann wird nicht gewünscht ist Rauschgiftsüchtiges, die Methoden, um es zu oxidieren ist folgend:

) thermische Oxidation d1

Der Oblateplatz in einem Quarzschlauch kommt Platz zum Innere eines Ofens, der eine Temperatur produziert, die zwischen 850°C und 1000°C enthalten wird, im Schlauch kommt geblasener Sauerstoff

d2) Absetzung

Es wird daß Sauerstoff und Silikon kommen convogliati auf der Oberfläche der Oblate und sie reagieren gelassen

zwecks die Geschwindigkeit der Oxidation auf die Temperatur oder den Druck zu erhöhen kann erhöht werden

und)       Litografia

Nachher, daß die Oblate oxidiert worden ist, ist es notwendig, Oxid von den Regionen, die Rauschgiftsüchtige sein müssen, zu solchem Ziel zu entfernen, welches die Oblate mit einem benannten Polymer-Plastik widerstehen bedeckt wird und auf ihm eine Schablone durch das Mikroskop übereinstimmte, wird, in den Fall von einem widerstehenpositiv, das Bereiche verdeckte nicht subiranno der Angriff der Ultravioletlichtstrahlen gelegt, die die Riegel zwischen Molekülen abbrechen und folglich wird er mit einem Lösungsmittel aufgelöst. Zu diesem Punkt schützen sich die Regionen vor widerstehen kommen nicht disciolte in Säure HF, der das Silikon in jenen Zonen das Oxid beseitigt, das zurück zu dem Licht holt, in dem es das drogaggio aushalten muß.

f)        Drogaggio

Bevor das impiantazione von den ionischen, das im Schwer bombardieren der Bereiche besteht, die von der Oblate mit den ionischen entdeckt werden, beschleunigt von einem elektrischen geschieht, fangen Sie zu Ihnen enthielt zwischen dem 25keV auf und 200keV die ionischen in solch einer Weise dringen für 1mm im Silikonändern schwer die regelmäßige Struktur von der gleichen ein, die aber es wieder hergestellt mittels einer Heizung zu 1000°C kommt, daß die Verbreitung von den ionischen übereinstimmt.

g)       Cvd

Entwurf eines Verfahrens, das übereinstimmt, von den Schichten des Silikons zu verursachen, oder Isolierung rüber zur Oblate, die Platz zum Innere eines Ofens kommt, zu 1000°C mittels Rfs heizte, in dem er durchgebrannt einem Gas SiCL ₄kommt, daß er auf der Oberfläche der Oblate zerlegt wird, welche die gewünschte Schicht verursacht, der Prozeß ist besagtes epitassiale und ist, eine Schicht mit kleinerem drogaggio von zu verursachen unten, oder für bestimmte Anwendungen kann man niedergelegte Oxid Schicht oder polisilicio sein.

h)       Metalization

Es ist, bevor notwendig, Silikonoxid von den Punkten zu entfernen, in denen der metallische Kontakt mit dem Silikon verlangt wird, nachdem ist man niedergelegtes Aluminiumschicht vaporizzando eine feste Quelle mittels des Elektron-Lichtstrahls oder des Spritzens. Die Aluminiumschicht kommt folglich beseitigtes laddove wird verlangt nicht mittels des photolitograph und schließlich kommt der Oblateplatz in einem Ofen zu 450°C, wohin ein guter ohmmico Kontakt das Schmelzverfahren des Aluminiums auf dem Silikongarantieren geschieht.

i)         Prüfung und impacchettamento

Ein einleitender Test wird vorher auf der Oblate durchgeführt, nachdem wird er in den Spänen unterteilt deren rückseitig an der Bedeckung befestigt wird und die Kontakte zu Ihnen kommen anschließen an Sie an das piedini nachdem den Span, die er lokalisiert mit Plastik kommt, Metall oder Keramik metallisieren.

 

3) Litografia mit geladenen Partikeln:

zu)       elektronischem

Eine Elektronquelle wird, die ein Haben des kleinen Bündeldurchmessers viel erzeugt, es geht, ein elektronisches zu notieren widerstehen daß Taten wie von der Schablone gehabt, gleichwohl in widerstehen für über die Verbreitung Form eine Birne mögen Sie, die optimales ausfällt in, mit wieviel das Metall, das nachher niedergelegt kommt, nicht ankommt, um mit widerstehen in Verbindung zu treten, das anders, wenn es beseitigt kommt über auch das Metall tragen würde, um in Verbindung zu treten.

Das Verfahren ist das viel langsame in, wieviel Computer das elektronische Bündel führen muß und den widerstehenpunkt für Punkt beseitigt, gleichwohl die Präzision, die erhalten wird, viel und genau erhöht, Schablonen zu verwirklichen übereinstimmt, daß dann gekommen verwendet im photolitograph.

B) Ionen

 

4) Litografia Einen Tunnel anlegen:

Es ist mittels eines vorangeht von den Wolfram-, der Post zu einem Abstand ungefähr 10A° von widerstehen kommt, denn Tunnell Effektdias ein Strom gekommenes zutreffendes, der widerstehen notiert. Es ist, eine exakte Technologie viel aber verlangsamt ein.

 

5) Realisierung der ohmschen Kontakte in Richtung zum piedini extern:

)       zum thermischen Schweißen

Eine Tülle wird, in der die aufgewickelte Leitung auf einer Spule schiebt, durch ein fiammella des Sauerstoffes herstellt eine kleine Kugel, die dann zerquetscht auf dem Würfel kommt, der zur Temperatur von 400°C getragen wird, nachher die Tülle wird verschoben auf dem piedino und verwirklicht den anderen LOGON gehabt.

B),       schweissend zu den Ultraschall

Die Tülle mit der Grube wird zum Kontakt gesetzt, nachdem fangen sie die Ultraschall (100kHz) die gelassen aus der Luft vom Raum enthalten zwischen zwei oberflächlichen, es werden gekommen folglich, einen optimalen Kontakt zu verursachen an.